边缘发射半导体激光器 Edge-emitting semiconductor lasers

2022-12-07 09:46:36 浏览:342

定义

半导体激光器沿晶圆平面发光。

半导体激光器可分为两类:

  • 边缘发射激光器(也称为面内激光器),其中激光沿半导体芯片的晶圆表面沿方向传播,激光是从该芯片中制造的。 光通常在劈裂的边缘反射或耦合出来。
  • 表面发射激光器,其中光沿垂直于半导体晶圆表面的方向传播。

边缘发射半导体激光器 Edge-emitting semiconductor lasers

图1:边缘发射半导体激光器。

边缘发射激光器是半导体激光器的原始形式,并且仍然被广泛使用。 它们的谐振器长度通常在几百微米到几毫米之间。 这足以达到高增益,因此即使谐振器损耗相当高,例如当端面(边缘)未涂层并且只有半导体/空气界面的菲涅耳反射时,边缘发射激光器也可能暴露。

在边缘发射激光结构中,激光束在波导结构中引导。 通常,使用双异质结构,将产生的载流子(电子和空穴)限制在狭窄的区域,同时用作光场的波导。 这种布置导致低阈值泵功率和高效率。

根据波导特性,特别是其横向尺寸,可以获得具有高光束质量但输出功率有限的输出(约数百毫瓦),或者(使用广域激光二极管)具有高输出功率(数十瓦甚至超过100 W)但光束质量差的输出。

激光物理

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