定义
电开关由光通过光致电导率控制。
光导开关是一种基于材料的光导性的电气开关，即由于光照射而增加其电导率。 在几乎所有情况下，人们都使用半导体材料，其中吸收的光（光子能量高于带隙能量）产生自由载流子，然后有助于导电性。 常用的材料是铬掺杂砷化镓 （Cr-GaAs）、低温生长砷化镓 （LT-GaAs）、磷化铟 （InP）、非晶硅和蓝宝石上硅 （SoS）。 为了减少开关的恢复时间（由光激发载流子的寿命决定），通常使用低温生长（通常随后是快速热退火），一些掺杂（例如GaAs中的铬）或离子轰击来产生晶体缺陷。 除了恢复时间外，重要的标准是带隙能量、暗电阻率和电击穿电阻。
光电导开关有不同的设计：
- 几毫米甚至厘米长的散装设备，端面带有电触点，用于切换非常高的电压（有时高于 100 kV）
- 微带中间隙小的设备；间隙可以是直的或交叉的，宽度在几微米到几十微米之间；适用于具有极高速度的低功耗应用
- 用于最高速度的滑动接触装置，其中共面带状线的两个平行条带之间的点被照亮
所有这些设备都是金属-半导体-金属（MSM）类型。
光电导开关用于各种目的：
- 用于光电导采样，特别是用于高速集成电子电路的测试（甚至在切割晶圆之前，因为只有直流和低频信号才需要电触点）
- 用于产生太赫兹脉冲
- 用于在连续波和脉冲模式下通过直流到射频转换产生微波和毫米波（例如，使用冻结波形发生器)
- 作为光纤通信中的高速光电探测器
- 在非常快速的模数转换器中
参考文献
[1] F. W. Smith et al., “Picosecond GaAs-based photoconductive optoelectronic detectors”, Appl. Phys. Lett. 54 (10), 890 (1989), doi:10.1063/1.100800
[2] D. Krokel et al., “Subpicosecond electrical pulse generation using photoconductive switches with long carrier lifetimes”, Appl. Phys. Lett. 54, 1046 (1989), doi:10.1063/1.100792
[3] C. H. Lee, “Picosecond optics and microwave technology”, IEEE Trans. Microwave Theory Technol. 38 (5), 596 (1990), doi:10.1109/22.54928
