808nm 光纤耦合半导体激光器

 

产品说明

         808nm 光纤耦合半导体激光器组件是使用专业的耦合技术制作的高功率、高效率、高稳定性的产品。产品把芯片发出的光通过微光学元器件汇聚到小芯径的光纤中输出。在此过程对每一重要工艺均进行检验与老化,以保证了产品可靠、稳定、长寿命。

 

产品特性

  • 波长808nm
  • 输出功率8W
  • 光纤芯径200μm
  • 光纤数值孔径0.22 NA
 

应用领域

  • 固体激光器泵源
  • 医疗
  • 材料处理

 

技术参数

典型产品技术指标(25℃) 符号 单位 K808DB2RN-8.000W(标准品)
最小值 典型值 最大值
光学参数(1) 输出功率 PO W 8 - -
中心波长 ʎc nm 808±3
光谱宽度(FWHM) △λ nm - 3 -
温度漂移系数 △λ/T nm/ - 0.3 -
电流漂移系数 △λ/A nm/A - 1 -
电学参数 电光效率 PE % - 46 -
阈值电流 Ith A - 1.9 -
工作电流 Iop A - - 11
工作电压 Vop V - 1.8 2
斜率效率 η W/A - 1 -
光纤参数 光纤芯径 Dcore μm - 200 -
包层直径 Dclad μm - 220 -
涂覆层直径 Dbuf μm - 320 -
数值孔径 NA NA - 0.22 -
光纤长度 Lf m - 1 -
光纤护套直径/长度 - µm 0.9mm PVC
弯曲半径 - mm 88  - -
连接器 - - - SMA905 -
防反射参数 防反波段 λ nm 1020~1200
防反隔离度 - dB - 30 -
其他参数 ESD Vesd V - - 500
存储温度(2) Tst -40 - 70
焊接温度 Tls - - 260
焊接时间 t sec - - 10
工作温度(3) Top 15 - 35
相对湿度 RH % 15 - 85

(1) 所有测试数据均在输出功率 8W@25℃情况下测试
(2) 请在非结露条件下存贮和使用
(3) 工作温度指底板温度,可接受的使用温度范围 15℃~35℃,但是不同温度下性能可能略有差别

 

外形尺寸

引脚:1,功能LD(+) 
引脚:2,功能LD(-) 

 

使用说明

  • 激光器工作时,避免激光照射眼睛和皮肤
  • 运输、储存、使用时必须采取防静电措施,运输和储存过程中引脚之间需连接短路线保护
  • 工作电流在 6A 以上的激光器请采用焊接方式连接引线,焊接点尽量靠近引脚根部,温度低于 260℃,焊接时间小于 10 秒
  • 在激光器工作前,确保光纤输出端已正确清洁。在处理和切割光纤时,请遵循安全协议以避免受伤
  • 使用恒流电源,工作时避免浪涌
  • 应在额定电流、额定功率下使用
  • 激光器工作时需保证良好散热
  • 工作温度 15℃~35℃
  • 存储温度-40℃~+70℃

 

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