定义
光通过诱导电导率控制的电学开关。
光导开关是一种电子开关，利用材料的光导性，即光照射时电导率增加。几乎所有的情况下都采用半导体材料，其中吸收的光（光子能量大于带隙能量）产生自由载流子，对电导率有贡献。常用的材料有掺铬的砷化镓，低温生长的砷化镓，铟磷，非晶硅和蓝宝石硅薄膜。为了降低开关的恢复时间（由光激发载流子的寿命决定），通常在低温下生长材料（然后快速淬灭过程），有些掺杂或者离子轰击来产生晶体缺陷。除了恢复时间，另一个重要的参数是带隙能量，暗电阻率和电击穿电阻。
光导开关有以下不同的设计：
1、几毫米的体器件，甚至在端面包含电子接触几厘米长度，用于非常高电压时（有时大于100 KV）
2、微条型器件，间隙很小；间隙可以是直的或者互相交叉的，宽度在几微米到几十微米之间，用于低功率情况下，速度很快
3、滑动接触器件具有最高的速度，其中共面线中的两平行条间的一点被光照射到
所有的这些器件都是金属-半导体-金属（MSM）类型。
光导开关可以应用于很多用途：
- 用于光导取样，尤其用来测试高速集成电子回路（甚至在切割基片之前，由于只有在DC或者低频信号情况下才需要电子学接触）
- 用于产生太赫兹脉冲
- 通过直接将DC转化成RF，产生微波或者毫米波，可以同时得到连续波和脉冲模式（例如，通过采用一个冷冻的波形发生器）
- 用在光纤通信中作为高速光电探测器
- 作为快速的模数转换器
参考文献
[1] F. W. Smith et al., “Picosecond GaAs-based photoconductive optoelectronic detectors”, Appl. Phys. Lett. 54 (10), 890 (1989)
[2] D. Krokel et al., “Subpicosecond electrical pulse generation using photoconductive switches with long carrier lifetimes”, Appl. Phys. Lett. 54, 1046 (1989)
[3] C. H. Lee, “Picosecond optics and microwave technology”, IEEE Trans. Microwave Theory Technol. 38 (5), 596 (1990)
参阅：光导取样、电光取样
