定义
具有p-i-n型半导体机构的光电二极管。
PIN型光电二极管是在n型掺杂和p型掺杂中间存在本征层（i：即未掺杂的）的光电二极管。大多数光子是在本征层被吸收，然后在该处产生载流子形成光电流。在图1中，电极显示为黑色：阴极是平的电极，而阳极则是环形（其中两个相反的部分可以在交叉区域看到）。偏置电压（反向）的正极与阴极相连。在p型掺杂区域上方有抗反射涂层。
图 1 p-i-n型光电二极管示意图。绿色区域为抗反射涂层
与常规的p-n型光电二极管相比，p-i-n型光电二极管具有更厚的耗尽层，能够更有效的收集载流子，因此量子效率更高，同时电容量更小，探测带宽更大。
如果波长达到约1700nm（或者光谱扩展到2600nm），可以使用InGaAs p-i-n型二极管，但是成本更高（尤其是有源区较大时）。锗p-i-n二极管也是一个选择。
最快的p-i-n光电二极管的带宽可达几十GHz。有源区直径通常在几百微米。有些这种二极管可以制作成 光纤耦合的形式应用到光纤通信中作为接收器。
参阅：光电二极管、金属-半导体-金属光探测器
